采用多晶填充的沟槽的半导体器件

摘要

为半导体器件提供结构和方法。器件(20)包括填充有高度掺杂的多晶半导体的沟槽(58)，其从表面延伸至器件的主体中，以实现尤其如下目的：(i)减少衬底电流注入；(ii)减少导通电阻；和/或(iii)减少至衬底的热阻。对于隔离的LDMOS器件，横向隔离壁(32)(结合至源极)与埋层(24)之间的电阻减少，从而减少了衬底注入电流。当放置在横向器件的漏极或垂直器件的集电极中时，多晶填充的沟槽有效地放大了漏极或集电极区域，从而降低了导通电阻。对于形成在氧化物隔离层上的器件，多晶填充的沟槽理想地穿透该隔离层从而改进从有源区到衬底的热传导。多晶填充的沟槽通过蚀刻和重新填充便利地形成。也可以实现显著的面积节省。

主权项

1.一种半导体器件，包括：操作性地耦合以形成晶体管的源极区、漏极区和栅极区；埋层，位于该晶体管的至少一部分的下方，并与该源极区属于相同导电类型；封闭的隔离区，覆盖该埋层的一部分且与该源极区、漏极区和栅极区分离，并与该源极区属于相同导电类型；以及多晶填充的沟槽，从该埋层延伸通过该封闭的隔离区的一部分并电耦合至该源极区。