| 发明名称 | 固态成像装置 | ||
| 摘要 | 在半导体衬底(10)的主表面中形成光电二极管(20a、20b)。光电二极管(20a)包括P<SUP>+</SUP>型半导体层(22a)和电荷积累部分(21a)，光电二极管(20b)包括P<SUP>+</SUP>型半导体层(22b)和电荷积累部分(21b)。光电二极管(20a和20b)由具有STI结构的元件隔离部分(33a)分开。构成光电二极管(20a和20b)的电荷积累部分(21a和21b)的底部位于到半导体衬底(10)的主表面比到元件隔离部分(33a)的底部更深的位置上。这样，可以提供一种固态成像装置，其中可以防止色彩混合并且电荷积累部分的容量大，并且灵敏性和饱和特性优异。 | ||
| 申请公布号 | CN100426512C | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200510009599.6 | 申请日期 | 2005.02.24 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 长崎博记;田中晶二 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H04N5/335(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、 一种固态成像装置，包括：半导体衬底；多个光电二极管，形成在该半导体衬底的主表面上，并产生和积累对应于入射光强度的信号电荷，每个所述光电二极管包括N型的电荷积累部分；和元件隔离部分，用于分离每个所述光电二极管，其中，所述元件隔离部分包括：绝缘膜，其填充所述半导体衬底的主表面中形成的沟槽；以及P型的内面层，其形成在所述沟槽的外侧并与所述绝缘膜的底部和侧面相接触，所述电荷积累部分的底部位于到所述半导体衬底的主表面比所述内面层的底部更深的位置，以及所述电荷积累部分延伸到所述沟槽中绝缘膜下面的区域。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||