| 发明名称 | 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构，包括：一蓝宝石衬底；一N－GaN层制作在蓝宝石衬底上，该N－GaN层上面的一侧形成有一台阶；一有源层制作在N－GaN层上的最上面；一P－GaN层制作在有源层上；一Ru/Ni层制作在P－GaN层的中间部位；一Ag/Pt/Au层制作在Ru/Ni层上；一N－GaN金属电极制作在N－GaN层一侧形成的台阶上；一SiO<SUB>2</SUB>钝化层制作在P－GaN层上面暴露的部分，及P－GaN层、有源层的侧面和N－GaN层一侧的台阶部分的表面，以上结构形成基片；一硅层，在硅层上面的两侧制作有Ni/Ag层，形成硅支撑体；该基片倒置与上述硅支撑体压焊，形成氮化镓基小芯片LED阵列结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101286539A | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200710065319.2 | 申请日期 | 2007.04.11 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王立彬;伊晓燕;刘志强;陈宇;郭德博;王良臣 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1. 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构，其特征在于，包括：一蓝宝石衬底；一N-GaN层，该N-GaN层制作在蓝宝石衬底上，该N-GaN层上面的一侧形成有一台阶；一有源层，该有源层制作在N-GaN层上的最上面；一P-GaN层，该P-GaN层制作在有源层上；一Ru/Ni层，该Ru/Ni层制作在P-GaN层的中间部位；一Ag/Pt/Au层，该Ag/Pt/Au层制作在Ru/Ni层上；一N-GaN金属电极，该N-GaN金属电极制作在N-GaN层一侧形成的台阶上；一SiO2钝化层，该SiO2钝化层制作在P-GaN层上面暴露的部分，及P-GaN层、有源层的侧面和N-GaN层一侧的台阶部分的表面，以上结构形成基片；以及一硅层，在硅层上面的两侧制作有Ni/Ag层，形成硅支撑体；该基片倒置与上述硅支撑体压焊，形成氮化镓基小芯片LED阵列结构。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||