发明名称 |
磁性器件及其形成技术 |
摘要 |
提供用于形成磁性器件的技术。在一个方面中,一种形成与磁性器件自对准的过孔的方法包括以下步骤。在所述磁性器件的至少一部分上方形成电介质层。所述电介质层被配置为具有邻近所述磁性器件的包括第一材料的下伏层和在所述下伏层的与所述磁性器件相反的一侧上的包括第二材料的上覆层。所述第一材料与所述第二材料不同。在第一蚀刻阶段中,使用第一蚀刻剂来蚀刻所述电介质层,从所述上覆层开始且贯穿所述上覆层。在第二蚀刻阶段中,使用对于蚀刻所述下伏层具有选择性的第二蚀刻剂来贯穿所述下伏层地蚀刻所述电介质层。 |
申请公布号 |
CN101288150A |
申请公布日期 |
2008.10.15 |
申请号 |
CN200680030544.6 |
申请日期 |
2006.05.04 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
S·K·卡纳卡萨巴帕斯;M·C·盖迪斯 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/26(2006.01);H01L21/302(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
于静;李峥 |
主权项 |
1.一种形成与磁性器件自对准的过孔的方法,所述方法包括以下步骤:在所述磁性器件的至少一部分上方形成电介质层,所述电介质层包括邻近所述磁性器件形成的下伏层以及在所述下伏层的与所述磁性器件相反的上表面上形成的上覆层,所述下伏层包括第一材料,所述上覆层包括与所述第一材料不同的第二材料;在第一蚀刻阶段中,利用第一蚀刻剂蚀刻所述电介质层,从所述上覆层开始且至少部分地贯穿所述上覆层;以及在第二蚀刻阶段中,利用第二蚀刻剂蚀刻所述电介质层,所述第二蚀刻剂对所述下伏层具有选择性,以至少部分贯穿所述下伏层地蚀刻所述电介质层。 |
地址 |
美国纽约 |