| 发明名称 | 紫外线擦除型半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以通过紫外线擦除保存的数据的紫外线擦除型半导体存储装置。使构成存储单元的2个MOSFET中一个的沟道宽度W<SUB>A</SUB>比另一个的沟道宽度W<SUB>B</SUB>窄地形成。由此，在照射紫外线后的初始化状态中，具有沟道宽度W<SUB>A</SUB>的MOSFET的数据信号电流I<SUB>HA</SUB>变得比流过沟道宽度W<SUB>B</SUB>的MOSFET的数据信号电流I<SUB>HB</SUB>小。由此，差动放大器的输出可根据成为I<SUB>HA</SUB>＜I<SUB>HB</SUB>的电流大小关系来确定，被定义为数值“0”。另一方面，在写入数据“1”时，将电荷注入沟道宽度W<SUB>A</SUB>的MOSFET的浮栅电极36，提高阈值电压Vt，将MOSFET置于截止状态。 | ||
| 申请公布号 | CN100426509C | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200510004233.X | 申请日期 | 2005.01.07 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 熊谷幸久 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L27/115(2006.01);G11C11/34(2006.01);G11C11/42(2006.01);G11C16/00(2006.01);H01L29/788(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1、一种紫外线擦除型半导体存储装置，其中具有：具备以共同的选择信号选择的一对场效应型晶体管的存储单元；和根据从该一对晶体管各自取出的数据信号电流的相互大小关系，读取记录于所述存储单元中的1比特数据的差动放大器，其特征在于，所述一对晶体管在擦除了所述存储单元的所述数据的状态下，在相互的所述数据信号电流间具有规定的信号电流差。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||