发明名称 transistor de efeito de campo
摘要 TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO. é provido um transistor de efeito de campo inédito que emprega um óxido amorfo. Em uma modalidade da presente invenção, o transistor compreende uma camada de óxido amorfo que contém portador de elétrons a uma concentração menor que 1 ~ 10¬ -18¬/cm�, e a camada isolante de porta compreende uma primeira camada que fica em contato com o óxido amorfo e uma segunda camada diferente da primeira camada.
申请公布号 BRPI0517560(A) 申请公布日期 2008.10.14
申请号 BR2005PI17560 申请日期 2005.11.09
申请人 CANON KABUSHIKI KAISHA;TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY 发明人 MASAFUMI SANO;KATSUMI NAKAGAWA;HIDEO HOSONO;TOSHIO KAMIYA;KENJI NOMURA
分类号 H01L29/786;H01L21/363 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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