发明名称 |
transistor de efeito de campo |
摘要 |
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO. é provido um transistor de efeito de campo inédito que emprega um óxido amorfo. Em uma modalidade da presente invenção, o transistor compreende uma camada de óxido amorfo que contém portador de elétrons a uma concentração menor que 1 ~ 10¬ -18¬/cm�, e a camada isolante de porta compreende uma primeira camada que fica em contato com o óxido amorfo e uma segunda camada diferente da primeira camada.
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申请公布号 |
BRPI0517560(A) |
申请公布日期 |
2008.10.14 |
申请号 |
BR2005PI17560 |
申请日期 |
2005.11.09 |
申请人 |
CANON KABUSHIKI KAISHA;TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
发明人 |
MASAFUMI SANO;KATSUMI NAKAGAWA;HIDEO HOSONO;TOSHIO KAMIYA;KENJI NOMURA |
分类号 |
H01L29/786;H01L21/363 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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