发明名称 ВАКУУМНАЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННАЯ УСТАНОВКА
摘要 <p>Полезная модель направлена на расширение технологических возможностей установки, повышение производительности и качества обработки изделий. Указанный технический результат достигается тем, что вакуумная, ионно-плазменная установка содержит вакуумную камеру с расположенными в ней катодами электродуговых испарителей, источники питания вакуумно-дугового разряда, источник питания двухступенчатого вакуумно-дугового разряда, держатель изделий и оптически непрозрачный поворотный экран, расположенный между катодом электродугового испарителя и держателем изделий. Кроме того, установка содержит, по крайней мере, одно устройство для ионной имплантации, выполненное в виде источника питания потенциала смещения, причем, по крайней мере, один из катодов электродуговых испарителей в виде пластины длиной от 500 до 2000 мм, шириной от 50 до 300 мм и толщиной от 10 до 70 мм. Кроме того, в вакуумной камере расположен дополнительный электрод, выполненный с возможностью подключения к положительному полюсу источника питания двухступенчатого вакуумно-дугового разряда. Вакуумная камера представляет собой полый цилиндра вращения, размеры которого могут быть: высота от 800 до 2500 мм и внутренний диаметр от 500 до 1200 мм. Установка предусматривает присоединение дополнительных секций вакуумной камеры. 5 з.п.ф., 3 илл.</p>
申请公布号 RU76918(U1) 申请公布日期 2008.10.10
申请号 RU20080117861U 申请日期 2008.05.04
申请人 发明人
分类号 C23C14/00;B82B3/00 主分类号 C23C14/00
代理机构 代理人
主权项
地址