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发明名称
THICK PSEUDOMORPHIC NITRIDE EPITAXIAL LAYERS
摘要
Semiconductor structures are fabricated to include strained epitaxial layers exceeding a predicted critical thickness thereof.
申请公布号
WO2008094464(A3)
申请公布日期
2008.10.09
申请号
WO2008US01003
申请日期
2008.01.25
申请人
CRYSTAL IS, INC.;SCHOWALTER, LEO, J.;SMART, JOSEPH, A.;GRANDUSKY, JAMES, R.;LIU, SHIWEN
发明人
SCHOWALTER, LEO, J.;SMART, JOSEPH, A.;GRANDUSKY, JAMES, R.;LIU, SHIWEN
分类号
H01L21/20
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
主权项
地址
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