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Ein Verfahren zum Betreiben einer Flash-Speichervorrichtung weist ein Aufbringen einer ersten Programmierspannung Vp1 auf eine Vielzahl von Wortleitungen von Speicherzellen auf. Schwellenspannungen der Speicherzellen werden gemessen, um eine erste Schwellenspannungsverteilung für Speicherzellen zu erhalten. Eine zweite Programmierspannung Vp2 wird auf die Wortleitungen der Speicherzellen aufgebracht, welche mit der ersten Programmierspannung Vp1 programmiert worden sind. Die Schwellenspannungen der Speicherzellen, welche mit der zweiten Programmierspannung Vp2 programmiert worden sind, werden gemessen, um eine zweite Schwellenspannungsverteilung für die Speicherzellen zu erhalten. Eine Festlegung wird getroffen, ob die Speicherzellen, welche mit der zweiten Programmierspannung programmiert worden sind, korrekt programmiert worden sind oder nicht. Wenn festgelegt wird, dass die Speicherzellen korrekt programmiert worden sind, dann wird die zweite Programmierspannung als Endvorspannung für einen Programmiervorgang festgelegt. Wenn festgelegt wird, dass die Speicherzellen nicht korrekt programmiert worden sind, dann werden die Speicherzellen unter Verwendung einer dritten Programmierspannung, die höher ist als die zweite Programmierspannung, programmiert.
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