发明名称 METHOD FOR THE PRODUCTION OF A LUMINESCENCE DIODE CHIP AND LUMINESCENCE DIODE CHIP
摘要 <p>Es wird ein Verfahren zum Herstellen mindestens eines Lumineszenzdiodenchips (1) angegeben, der mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial (2) versehen ist, das mindestens eine Leuchtstoff (22) aufweist. Ein Grundkörper (4) wird bereitgestellt, der eine Schichtenfolge für den Lumineszenzdiodenchip (1) aufweist, die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Auf zumindest einer Hauptfläche des Grundkörpers (41) wird eine Deckschicht (21) aufgebracht. Gemäß einer vorgestellten Ausführungsform ist die Deckschicht (21) photostrukturierbar. In die Deckschicht (21) wird mindestens eine Kavität (31, 32) eingebracht. Es wird mindestens ein Leuchtstoff (22) auf die Deckschicht (21) aufgebracht und eine Haftung zwischen zumindest einem Teil des Leuchtstoffs (22) und der Deckschicht (21) ausgebildet oder verstärkt. Zudem wird ein mit dem Verfahren hergestellter Lumineszenzdiodenchip (1) angegeben.</p>
申请公布号 WO2008116439(A1) 申请公布日期 2008.10.02
申请号 WO2008DE00403 申请日期 2008.03.06
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;ALBRECHT, TONY;FISCHER, HELMUT;WEININGER, IRENE 发明人 ALBRECHT, TONY;FISCHER, HELMUT;WEININGER, IRENE
分类号 H01L33/00;H01L33/44;H01L33/50 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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