Gateelektrodenstruktur, Mosfeldeffekttransistoren und Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Eine Gateelektrodenstruktur (195) weist mindestens eine Doppelschicht (120) auf, wobei jede Doppelschicht (120) einen Deckfilm (122) und einen Spannungsverstärkerfilm (121) umfasst. Der Deckfilm (122) enthält polykristallines Material. Der Spannungsverstärkerfilm (121) vermag das Kristallisationsprodukt des polykristallinen Materials zu bestimmen, wobei eine durch den Deckfilm induzierte mechanische Spannung verstärkt wird in dem Sinne, dass der Deckfilm (122) eine größere mechanische Spannung in benachbarte Strukturen induziert als bei Kristallisation auf einer anderen Unterlage. Auf diese Weise lässt sich erhöhte tensile oder kompressive Spannung in ein kristallines Substrat induzieren. Die Elektronen- und/oder Löcherbeweglichkeit kann erhöht und der Drain-to-Source-Widerstand eines MOS-Feldeffekttransistors im eingeschalteten Zustand verbessert werden.