电子装置之电子组绝层

摘要

本发明描述用于诸如非挥发性记忆体装置之电子装置的方法及设备。该等记忆体装置包括一多层控制介电质，诸如一双层或三层控制介电质。该多层控制介电质包括诸如氧化铝(Al#sB!2#eB!O#sB!3#eB!)、二氧化铪(HfO#sB!2#eB!)及/或氧化铝铪之混合膜的高k介电材料之组合。多层控制介电质提供增强特性，包括增加之电荷保留、增强之记忆体程式/擦除窗、改良之可靠性及稳定性与单态或多态(例如，两个、三个或四个位元)操作之可行性。