半导体装置之制造方法

摘要

本发明之半导体装置之制造方法可系谋求提高利用金-焊锡连接进行覆晶接合时之焊锡之润湿性。进行热处理，其后利用金-焊锡连接进行覆晶接合，藉此除去附着于焊锡6表面上之有机物(碳等)，确保焊锡6之润湿性，从而可进行金-焊锡连接，上述热处理系以使封装基板3之表面温度达到160~170℃之方式，经由配置于喷灯13与封装基板3之间之遮罩12，将燃烧氢气与乾燥空气之混合气体而形成之火焰14照射至封装基板3之复数个倒装用端子上之焊锡6上。