阻障层与铜金属化层间之低界面氧化物电接点用之方法与系统

摘要

本发明系关于半导体装置之金属化的方法与系统。本发明之一实施样态为一种将铜层沉积在阻障层上俾能在其间产生实质上无氧界面的方法。在一实施例中，此方法包含设置实质上无氧化物的阻障层表面。此方法亦包含沉积一适量的原子层沉积(ALD，atomic layer deposition)铜在无氧化物的阻障层表面上，以有效防止阻障层的氧化。此方法更包含沉积填空铜层以覆盖原子层沉积铜。本发明之另一实施样态为用以将铜层沉积在阻障层上俾能在其间产生实质上无氧界面的整合系统。在一实施例中，此整合系统包含至少一阻障沉积模组。此系统亦包含原子层沉积铜沉积模组，此模组用以藉由原子层沉积而沉积铜。此系统更包含铜填空模组以及至少一运送模组，此至少一运送模组与至少一阻障沉积模组以及原子层沉积铜沉积模组耦合。设置此运送模组，俾能使基板在实质上没有曝露于氧化物形成环境的情况下，可在这些模组之间进行运送。