发明名称 四元发光二极体制造方法
摘要 本发明四元发光二极体之基板上依序设有缓冲层、第一型磊晶层、活性层以及第二型磊晶层,其第二型磊晶层表面系利用粗糙化处理而形成有粗化表面,该粗糙化处理系利用碘酸、硫酸以及氢氟酸以特定比例混合后,由该混合液体浸洗该第二型磊晶层表面,使第二型磊晶层则形成有复数凹部,藉由该凹部可将全反射而无法出射的光线直接折射,经由不规则变化的光线进行方向,使得光线在一次折射或是极少数几次反射再折射之后,便可以出射至四元发光二极体外部,而得到较高的光线出射效率。
申请公布号 TW200840087 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW096111198 申请日期 2007.03.30
申请人 大连路美芯片科技有限公司 发明人 廖奇德
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 林清汉
主权项
地址 中国