发明名称 画素结构及其制造方法
摘要 一种画素结构的制造方法。首先,于基板上形成第一图案化导体层,其包括闸极以及资料线。接着,于基板上形成闸极绝缘层,以覆盖第一图案化导体层,并于闸极上方之闸极绝缘层上形成半导体通道层。然后,于闸极绝缘层以及半导体通道层上形成第二图案化导体层,其包括扫描线、共通电极线以及源极与汲极。扫描线与闸极电性连接,共通电极线位于资料线上方,而源极与汲极位于半导体通道层上,且源极电性连接资料线。随之,于基板上形成保护层,以覆盖第二图案化导体层,然后于保护层上形成画素电极,且画素电极与汲极电性连接。
申请公布号 TW200839397 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW096127759 申请日期 2007.07.30
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 林祥麟;刘松高
分类号 G02F1/136(2006.01) 主分类号 G02F1/136(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号