透明电极应用于砷化镓制程

摘要

一种透明电极应用于砷化镓制程，系包括：一MHEMT晶圆磊晶结构、一透明闸极、一源极与一汲极。该MHEMT晶圆磊晶结构系利用分子束磊晶方式成长在一砷化镓基板上，该砷化镓基板上成长包括有一肖特基层与一覆盖层，该覆盖层系成长于该肖特基层上；该透明闸极系设于该肖特基层上，该透明闸极系为铟锡氧化物；该源极与该汲极系分别设于该透明闸极两侧的该覆盖层上，藉此，可有效增加受光范围，使该MHEMT晶圆磊晶结构对于光波更为敏感。