具有逆碳分布之低缺陷ＳＩ：Ｃ层

摘要

形成替代碳单晶矽层时经常产生许多缺陷，尤其在高碳浓度时。本发明提供用于提供低缺陷替代碳单晶矽层的结构与方法，甚至可用于具有高浓度碳的矽。根据本发明，在碳植入中的主动式逆分布会减少在固相磊晶以后所得到之替代碳单晶矽层中的缺陷密度。这会致使形成具有压缩应力与低缺陷密度之半导体结构。当应用在半导体电晶体时，本发明会致使N型场效电晶体经由存在于通道内的拉张应力来提高电子迁移率。