发明名称 制造微影元件的方法、微影单元及电脑程式产品
摘要 本发明提供一种用于印刷密集线之双重图案化制程。在一第一步骤中,在一上覆于一具备一底部抗反射涂层之基板的第一抗蚀剂层中印刷一第一半密集线图案。在一第二步骤中,在一提供于被清除区域上之第二抗蚀剂层中印刷一第二半密集线图案。该第一半密集线图案及该第二半密集线图案位于交错位置中以提供线及空间之一所要密集图案。在对第一抗蚀剂显影之后且在提供第二抗蚀剂至该基板之前,将一对该底部抗反射涂层之表面调节应用至第一抗蚀剂材料线之间的被清除区域。该表面调节步骤经配置以改良第二抗蚀剂特征对该等被清除区域之表面的黏着性。
申请公布号 TW200839845 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW096146125 申请日期 2007.12.04
申请人 ASML荷兰公司 发明人 柯恩 范 英根 斯奇纽;温蒂 法兰西斯卡 乔汉纳 吉何 范 安慎;琼斯 安娜 魁德克斯;派屈克 汪
分类号 H01L21/027(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 荷兰