| 摘要 |
一种以氧化锌制作之发光二极体结构，系选择一铝酸锂（LiAlO#sB!2#eB!）基板，并在该铝酸锂基板上依序磊晶生长一氧化锌（ZnO）缓冲层及一氮化镓（GaN）成核层，利用该氧化锌与氮化镓具有相似之Wurtzite结构，可以获得高质量氮化镓，并以此一磊晶后之GaN/ZnO/LiAlO#sB!2#eB!结构生长一多重量子井（Multiple Quantum Well, MQW）及一第一金属电极层，再蚀刻去除该铝酸锂基板及该氧化锌缓冲层，并在该氮化镓成核层之下方生长一第二金属电极层。藉此，利用单晶薄膜状之氧化锌缓冲层不仅可使氮化镓成核层在铝酸锂基板上成功成长，且可降低氮化镓之缺陷密度，进而达到近似晶格匹配（nearly lattice match）并获得良好之晶体介面品质，以提升发光效率及后续完成之器件性能。 |
