半导体装置

摘要

本发明之半导体装置包含有：基板；形成于前述基板上，含有多层配线构造之层叠体；于前述层叠体中，包围形成有活性元件之元件区域并连续延伸之防潮环；及在前述层叠体中，于前述防潮环外侧沿前述防潮环连续形成，以使前述基板表面露出之保护沟部。前述层叠体系由具有较SiO#sB!2#eB!膜低之介质常数的层间绝缘膜之层叠构成，且前述层叠体上面及前述保护沟部之侧壁面与底面除了前述多层配线构造上之电极垫外，皆以保护膜连续覆盖，并且于前述保护膜与前述保护沟部侧壁面之间形成以Si及C为主成份之界面膜。