发明名称 | 半导体元件之蚀刻方法 | ||
摘要 | 提供一种半导体元件之蚀刻方法,蚀刻方法包括下列步骤:首先,提供一待蚀刻基材;接着,形成氧化矽层于待蚀刻基材上;然后,形成抗反射层于氧化矽层上;接着,形成图案化光阻层于抗反射层上;然后,蚀刻抗反射层、氧化矽层及待蚀刻基材,以形成至少一开孔。 | ||
申请公布号 | TW200839880 | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
申请号 | TW097108576 | 申请日期 | 2008.03.11 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 骆统;杨令武;陈光钊 |
分类号 | H01L21/3213(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |