发明名称 半导体元件之蚀刻方法
摘要 提供一种半导体元件之蚀刻方法,蚀刻方法包括下列步骤:首先,提供一待蚀刻基材;接着,形成氧化矽层于待蚀刻基材上;然后,形成抗反射层于氧化矽层上;接着,形成图案化光阻层于抗反射层上;然后,蚀刻抗反射层、氧化矽层及待蚀刻基材,以形成至少一开孔。
申请公布号 TW200839880 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW097108576 申请日期 2008.03.11
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 骆统;杨令武;陈光钊
分类号 H01L21/3213(2006.01) 主分类号 H01L21/3213(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉;林素华
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号