晶圆研磨监视方法

摘要

〔课题〕本发明提供一种在未受研磨浆等影响之下监视在导电性膜到达由集肤深度所定义之极薄膜厚以后之膜厚变化而高精度且确实地检出该导电性膜之研磨终点的晶圆研磨监视方法及其装置为目的。〔解决手段〕本发明为达成上述目的，系提供一种晶圆研磨监视方法，其系在与晶圆W表面的导电性膜８对向的部位形成高频传送通道９，且由通过高频传送通道９而逃脱之穿透电磁波和未通过高频传送通道９并作反射的反射电磁波之至少任一来评估导电性膜8的研磨除去状态，并检出与研磨除去的结束点及研磨除去的结束时间点对应的时间点。