半导体装置

摘要

本发明系谋求电容元件之大容量化与半导体装置之小面积化并存。将种类彼此不同之复数个电容元件堆积配置于半导体基板1上且并联连接。该等电容元件配置于相同平面区域内，且使平面尺寸大致相同。下侧之电容元件可作为MOS型电容元件C1，该MOS型电容元件C1系将设置于半导体基板1上之n型半导体区域4与经由绝缘膜5而设置于n型半导体区域4上之上部电极6作为两个电极。在电容元件C1之上部配置有由布线M2~M6之梳状图案所形成之MIM型电容元件，并将该MIM型电容元件与电容元件C1并联连接。