电晶体及其制造方法

摘要

提供一种制造半导体元件以扩大通道区之方法。该通道区因电晶体具有柱状侧壁而可被扩大。该电晶体包含鳍状主动区，自基板垂直突出；隔离层，围绕该鳍状主动区之下部；及闸极电极，横跨该鳍状主动区及覆盖该鳍状主动区之部分。该隔离层系形成以包围该鳍状主动区之下部并且于多个间隔下方之该隔离层系被部分移除以露出该鳍状主动区之侧壁之部分。接着，实施乾式蚀刻以形成具有柱/颈部之侧壁。