发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明系关于半导体装置及其制造方法,本发明可得到一种半导体装置,其系可防止从布线层通孔连接区(via land)拉出之布线断线。本发明之半导体装置系包含:布线基板;半导体晶片;填充材(underfill)树脂;补强环;散热片;设于布线基板上,且利用间隙区域而相互分开之电源图案与布线层下面通孔连接区;绝缘膜;布线层通孔连接区;通孔;及设于绝缘膜上,且通过间隙区域上方,并连接布线层通孔连接区与半导体晶片之布线。布线层通孔连接区系在半导体晶片与补强环之间,且设于距半导体晶片对角线的延长线1 mm以内的区域。从布线层通孔连接区拉出布线之方向与半导体晶片对角线的延长线之角度系20度以上。
申请公布号 TW200839991 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW096143736 申请日期 2007.11.19
申请人 瑞萨科技股份有限公司 发明人 中川和之
分类号 H01L23/488(2006.01);H01L23/12(2006.01) 主分类号 H01L23/488(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本