| 发明名称 |
配线膜之形成方法、电晶体及电子装置 |
| 摘要 |
形成密接性和阻障性优良，电阻值低之配线膜。溅镀以铜为主成分，含有从由Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成之添加元素群所选择出之至少一种类之添加元素的标靶11，在成膜对象物21表面形成第一金属膜23之后，在停止氧体导入之状态，将溅镀标靶11予以溅镀，在第一金属膜23表面形成第二金属膜24之后，蚀刻第一金属膜23表面形成第二金属膜之后，蚀刻第一、第二金属膜23、24而形成配线膜。 |
| 申请公布号 |
TW200839946 |
申请公布日期 |
2008.10.01 |
| 申请号 |
TW096150895 |
申请日期 |
2007.12.28 |
| 申请人 |
爱发科股份有限公司 |
发明人 |
高泽悟;武井应树;高桥明久;片桐弘明;浮岛祯之;谷典明;石桥晓;增田忠 |
| 分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
