发明名称 具有容纳晶粒通孔以及双面覆盖之双重增层之晶圆级半导体装置封装及其方法
摘要 本发明系揭露一种封装结构。其封装结构包含一基板,具有容纳晶粒的通孔、连接通孔结构以及第一接触接垫。晶粒,配置于容纳晶粒之通孔内。围绕材质,形成于晶粒之下方,且填充于晶粒与容纳晶粒通孔之侧壁间空隙。介电层形成于晶粒与基板之两面。重布层(RDL)形成于介电层上,耦合至接触接垫。保护层形成于重布层上。
申请公布号 TW200839988 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW097102714 申请日期 2008.01.24
申请人 育霈科技股份有限公司 发明人 杨文焜
分类号 H01L23/485(2006.01);H01L23/535(2006.01) 主分类号 H01L23/485(2006.01)
代理机构 代理人 林静文;洪圣濠
主权项
地址 新竹县湖口乡新竹工业区光复北路65号