半导体中之蚀刻处理残留物的移除

摘要

本发明提供一种半导体结构与其形成方法。一种半导体制造方法所包括的步骤为提供一结构。该结构包括(a)一介电层；(b)一第一导电区域，其埋设于该介电层中，其中该第一导电区域包括一第一导电材料，及(c)一第二导电区域，其埋设于该介电层中，其中该第二导电区域包括一与该第一导电材料不同之第二导电材料。该方法还包括于该介电层中产生一第一孔洞与一第二孔洞的步骤，使得该第一与第二导电区域分别经由该第一与第二孔洞暴露于一周围大气。然后，该方法更包括注入一硷性溶剂至该第一与第二孔洞之底壁与侧壁的步骤。