| 发明名称 |
化学机械研磨用水糸分散体及半导体装置之化学机械研磨方法 |
| 摘要 |
本发明的化学机械研磨用水系分散体系包含有：(A)具有10nm~100nm平均粒径之胶体二氧化矽0.1~4质量%、以及(B)从磷酸一铵、磷酸二铵及硫酸氢铵中选择至少1种0.1~3质量%；其中，上述(A)成分与上述(B)成分的质量比(A)/(B)系1~3，且pH系4~5，将使用于同时对从多晶矽膜、矽氮化膜及矽氧化膜中，选择2种以上所形成的被研磨面施行研磨。 |
| 申请公布号 |
TW200839864 |
申请公布日期 |
2008.10.01 |
| 申请号 |
TW097109803 |
申请日期 |
2008.03.20 |
| 申请人 |
ＪＳＲ股份有限公司 |
发明人 |
安藤民智明;金野智久 |
| 分类号 |
H01L21/304(2006.01);C09K3/14(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
赖经臣;宿希成 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
