发明名称 半导体积体电路装置的制造方法
摘要 由于在受光部上形成开口部用的抗蚀剂膜产生裂纹,使得连非意图的部分的层间绝缘膜都被蚀刻。为了对此裂纹进行防范,将用作蚀刻遮罩的抗蚀剂图案的形状作成使应力分散的形状。由于在将抗蚀剂曝光、显影后实施后烘烤而使抗蚀剂固化,以致产生应力。为使该应力分散,将抗蚀剂图案的开口部形成为没有角部的平面形状。因而,本发明提供一种半导体积体电路装置的制造方法。
申请公布号 TW200840072 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW097111209 申请日期 2008.03.27
申请人 三洋电机股份有限公司;三洋半导体股份有限公司 发明人 西智弘;兼子一重;山田哲也;野村洋治
分类号 H01L31/10(2006.01);H01L21/3105(2006.01);G11B7/13(2006.01) 主分类号 H01L31/10(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本