半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，包括：一基底，其具有复数个隔离区形成在其中；一闸极介电层及一闸电极层，在该基底上方；复数个间隙壁，沿着该闸极介电层及该闸电极层的侧壁形成；复数个源/汲极延伸区，在该基底中，且在该闸极介电层的相对侧；复数个源/汲极区，在该基底中，且在该闸极介电层与该些源/汲极延伸区的相对侧；复数个第一矽化区，在该些源/汲极延伸区中，且在该闸极介电层的相对侧；以及复数个第二矽化区，在该基底的表面上方，且在该闸极介电层与该些间隙壁的相对侧。