发明名称 研磨液
摘要 以提供一种研磨剂,其系使用在研磨由障壁金属材料所构成之障壁层的障壁CMP中所用之固体砥粒的研磨液,可得到对于障壁层之优异的研磨速度,并且可任意地控制绝缘膜的研磨速度为课题。提供一种研磨液,其系用于研磨半导体积体电路之障壁层的研磨液,其特征为包含表面显示正ζ电位之胶态二氧化矽、具有羧基之化合物、腐蚀抑制剂、及界面活性剂,而pH为2.5~5.0。
申请公布号 TW200838997 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW096147339 申请日期 2007.12.12
申请人 富士软片股份有限公司 发明人 上村哲也;斋江俊之
分类号 C09K3/14(2006.01);H01L21/304(2006.01) 主分类号 C09K3/14(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本