量测半导体元件中沟渠侧壁之薄膜厚度之方法

摘要

一种用以量测半导体元件中沟渠侧壁之薄膜厚度之方法。此方法包括：于此沟渠侧壁未形成一薄膜前，先使用一第一探针扫描沟渠以取得一第一形貌；于此薄膜形成后，使用一第二探针扫描此沟渠以取得一第二形貌；以及，比较此第一形貌及此第二形貌以获得此薄膜厚度。