可供堆叠之半导体装置及其制法

摘要

一种可供堆叠之半导体装置及其制法，系提供一具有复数晶片之晶圆，该晶片及晶圆具有相对之主动面及非主动面，且各该晶片主动面上设有复数焊垫，以于相邻晶片焊垫间形成沟槽及于该沟槽处形成电性连接至晶片焊垫之第一金属层，接着薄化该晶圆非主动面至该沟槽处而外露该第一金属层，并于该晶圆非主动面形成电性连接至该第一金属层之第二金属层，之后分离各该晶片，以形成复数可供堆叠之半导体装置，后续即可利用形成于该些半导体装置主动面及非主动面上之第一及第二金属层进行相互堆叠及电性连接，以构成多晶片之堆叠结构，俾可在不增加堆叠面积情况下有效整合更多晶片，同时避免使用焊线技术所导致电性不佳及因使用矽贯通电极(TSV)所导致制程复杂及高成本等问题。