ＭＯＳ电晶体之制备方法

摘要

一种MOS电晶体之制备方法，其包含形成一闸氧化层于一基板上、形成一闸极及一第一介电层于该闸氧化层上、形成一第二介电层于该基板表面与该闸极侧壁、形成一覆盖该第一介电层及该第二介电层之第三介电层、进行一第一蚀刻制程以局部去除该第三介电层以及进行一第二蚀刻制程以形成一间隙壁该闸极之两侧等步骤，其中该第一蚀刻制程与该第二蚀刻制程对该第三介电层/第二介电层之蚀刻选择比不同，使得该第二介电层在该基板之中心处的厚度小于在该基板之边缘处的厚度。