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发明名称
浸润式曝光用正型光阻组成物及光阻图型之形成方法
摘要
本发明提供一种可形成膜表面具有高疏水性,且具有良好微影蚀刻特性之光阻膜的浸润式曝光用正型光阻组成物及光阻图型之形成方法。前述浸润式曝光用正型光阻组成物,含有经由酸之作用而增大硷溶解性之树脂成份(A),与基于曝光而产生酸之酸产生剂成份(B),与含有氟原子且不具有酸解离性基之树脂成份(C),前述树脂成份(A)为含有具有丙烯酸所衍生之结构单位(a),且不含有氟原子之树脂(A1),前述树脂成份(C)为含有非主链环状型之树脂(C1),与主链环状型之树脂(C2)。
申请公布号
TW200839448
申请公布日期
2008.10.01
申请号
TW096143685
申请日期
2007.11.19
申请人
东京应化工业股份有限公司
发明人
内海义之;吉井靖博;中村刚;入江真树子
分类号
G03F7/039(2006.01);H01L21/027(2006.01)
主分类号
G03F7/039(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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