发明名称 磁性记忆体及其制造方法
摘要 一种磁性记忆体,包括一堆叠、一第一写入导线以及一第二写入导线。堆叠包含一磁性固定层、一穿隧能障绝缘层以及一磁性自由层以形成一磁性穿隧接面。其中,磁性穿隧接面具有一长轴。第一写入导线配置于堆叠下方,且于一投影面上,第一写入导线与磁性穿隧接面之长轴方向二者夹角小于45度且大于0度。第二写入导线配置于堆叠上方,且于该投影面上,第二写入导线与磁性穿隧接面之长轴方向二者夹角小于45度且大于0度。
申请公布号 TW200839760 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW096110329 申请日期 2007.03.26
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 李元仁;王丁勇;洪建中
分类号 G11C11/15(2006.01) 主分类号 G11C11/15(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号