| 摘要 |
本发明系关于一种用于将含矽层自一其上具有该等层之微电子装置移除之移除组合物及方法。该移除组合物相对于下方电极、装置基板及/或蚀刻中止层材料选择性移除包括(但不限于)以下各物之层：氧化矽、电浆增强原矽酸四乙酯(P-TEOS)、硼磷矽酸盐玻璃(BPSG)、电浆增强氧化物(PEOX)、高密度电浆氧化物(HDP)、磷矽酸盐玻璃(PSG)、旋涂式介电质(SOD)、热氧化物、未掺杂矽酸盐玻璃、牺牲氧化物、含矽有机聚合物、含矽混合有机/无机材料、有机矽酸盐玻璃(OSG)、TEOS、氟化矽酸盐玻璃(FSG)、半球形颗粒(HSQ)、掺碳氧化物(CDO)玻璃及其组合。 |
