| 发明名称 | 金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法 | ||
| 摘要 | 一种金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法，是在SOI－CMOS电路的背衬底连接一地电位或电源电位。其中，测试NMOS的阈值电压时，背衬底连接地电位；测试PMOS的阈值电压时，背衬底连接负电源电位。测试NMOS的阈值电压时，背衬底连接电源电位；测试PMOS的阈值电压时，背衬底连接地电位。本发明将SOI－CMOS电路的背衬底固定在一定的电位，SOI电路中的N、PMOS器件的工作，是处于完全不同的背栅偏置下。因此，单独表征N、PMOS的阈值电压的条件相应要改变，这样才能正确认识和控制阈值电压以便保障SOI电路的正常工作。 | ||
| 申请公布号 | CN101275983A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200710064858.4 | 申请日期 | 2007.03.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 海潮和;韩郑生;周小茵;赵立新;李多力;李晶 |
| 分类号 | G01R31/26(2006.01);G01R31/28(2006.01);G01R19/00(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | G01R31/26(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周长兴 |
| 主权项 | 1. 一种金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法，是在SOI-CMOS电路的背衬底连接一地电位或电源电位。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||