发明名称 | 缺陷修补结构及缺陷修补方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种缺陷修补结构及缺陷修补方法。该修补结构具有多数层的结构,以修补具有缺陷的线路图案。另外,本发明提供的缺陷修补方法主要是利用具有多数层结构的转移材料接受电磁波光源照射后产生的碰撞压力,亦即直接来自光子撞击所产生的光压,辅以电磁波能量产生打断分子键结或爆炸现象,使材料转移至欲修补的区域中。通过本发明提供的结构与方法可以可解决传统转移材料时,修补材料因受光源照射后产生热影响的现象,而使得材料易氧化及应力破坏的问题。 | ||
申请公布号 | CN101276070A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
申请号 | CN200710091734.5 | 申请日期 | 2007.03.30 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 廖仕杰;陈辉达;王仪龙 |
分类号 | G02F1/13(2006.01);B23K26/00(2006.01) | 主分类号 | G02F1/13(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 1. 一种缺陷修补结构,其特征在于,包括:一导电粘着层;以及一修补材料层,其是形成于该导电粘着层上。 | ||
地址 | 台湾省新竹县 |