| 发明名称 | SiO<SUB>x</SUB>:Si复合物及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制品，由硅氧化物和导电的掺杂的硅材料制成，两者在保护性的环境中结合以形成SiO<SUB>X</SUB>:Si材料的复合物，该复合物呈现出SiO<SUB>X</SUB>的特性，还由于Si的存在而具导电性。由这种复合材料制成的制品有很多用途，例如作为直流或交流溅射过程中用于生产硅氧化物薄膜的靶材，用于触摸屏，LCD显示屏的格栅薄膜和用在很多领域的光学薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101278068A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200680036012.3 | 申请日期 | 2006.08.11 |
| 申请人 | 温特克光电公司 | 发明人 | 戴维·E·史蒂文森;利·Q·周 |
| 分类号 | C23C14/00(2006.01);C23C14/10(2006.01);C23C14/14(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | C23C14/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 邓琪 |
| 主权项 | 1、一种制品，包括硅氧化物和导电硅彼此结合而成的组合物。 | ||
| 地址 | 美国密歇根州 | ||