| 发明名称 | 完全去耦化的高电压和低电压晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体晶圆，包括至少一个部分制造好的高电压晶体管，该高电压晶体管被一个高电压低电压退耦层所覆盖；至少一个部分制造好的低电压晶体管，该低电压晶体管具有一个高电压低电压退耦层，该退耦层被蚀刻掉，以进一步在其上进行低电压制造程序。所述的高电压低电压退耦层包含一个约30－150埃的高温氧化物(HTO)氧化物层和一个低压化学汽相沉积(LPCVD)氮化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN101276813A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200810090515.X | 申请日期 | 2008.03.26 |
| 申请人 | 万国半导体股份有限公司 | 发明人 | 胡永中;戴嵩山 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 1、本发明涉及一种电子装置，其特征在于，包括至少一个高电压晶体管和一个低电压晶体管，所述的高电压晶体管和低电压晶体管支撑在同一个晶圆上，所述的低电压晶体管的封装密度大约是所述的高电压晶体管的封装密度的10倍。 | ||
| 地址 | 百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院 | ||