| 发明名称 | P型金属氧化物半导体装置及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种P型金属氧化物半导体装置及半导体装置，包括：一栅极结构，形成于一基底上，该栅极结构包括通过一栅极介电层与该基底分隔的一掺杂硼硅化金属栅电极层，其中该掺杂硼硅化金属栅电极层包括镍及铂且包括一铂高峰区，该铂高峰区邻接该栅极介电层的界面，且在该铂高峰区中铂浓度较镍浓度约大于5％。 | ||
| 申请公布号 | CN101276835A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200710137094.7 | 申请日期 | 2007.07.24 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡庆威;王志豪;林威戎;黄焕宗;卡罗斯 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L27/088(2006.01) | 主分类号 | H01L29/49(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1. 一种P型金属氧化物半导体装置，包括：一栅极结构，形成于一基底上，该栅极结构包括通过一栅极介电层与该基底分隔的一掺杂硼硅化金属栅电极层，其中该掺杂硼硅化金属栅电极层包括镍及铂且包括一铂高峰区，该铂高峰区邻接该栅极介电层的界面，且在该铂高峰区中铂浓度较镍浓度约大于5％。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||