| 发明名称 | 固态摄像元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供不因回蚀处理而降低自对准硅化物阻挡膜的能力并可均匀地进行晶体管的源极/漏极注入的固态摄像元件的制造方法。在栅极电极(11、21)的侧表面形成的侧壁(32、33)作为掩模，形成晶体管的源极/漏极区域(14、24)。然后覆盖栅极电极(11、21)、侧壁(32、33)、源极/漏极区域(14、24)以及受光区域而形成供氢膜(33)和自对准硅化物阻挡膜(34)。在去除硅化区域的自对准硅化物阻挡膜(34)后，形成金属膜(38)并进行热处理，在硅化区域的栅极电极(21)和源极/漏极区域(24)的上部形成金属硅化膜(25、26)，由此来制造固态摄像元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101276830A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200810088071.6 | 申请日期 | 2008.03.31 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 城户英男;糸长总一郎;吉次快;千叶健一 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 董方源 |
| 主权项 | 1.一种固态摄像元件，其特征在于，通过光照射而产生电荷的受光部和晶体管的源极/漏极区域被形成在半导体层中，并包括：包含所述受光部的非硅化区域，其中晶体管的源极/漏极区域以及栅极电极的表面未被硅化；以及硅化区域，其中至少晶体管的源极/漏极区域以及栅极电极的表面被硅化，在所述非硅化区域中，在晶体管的栅极电极的侧表面上形成有侧壁，覆盖所述半导体层、所述栅极电极、以及所述侧壁而形成有供氢膜，在所述供氢膜上形成有阻止硅化的自对准硅化物阻挡膜，在所述硅化区域中，在晶体管的栅极电极的侧表面形成有侧壁，而没有形成所述供氢膜以及所述自对准硅化物阻挡膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||