用于多层光致抗蚀剂干式显影的方法和装置

摘要

一种在等离子体加工系统中，用于在基底上蚀刻有机抗反射涂料(ARC)层的方法，包括：引入包括氨(NH₃)和钝化气体的工艺过程气体；由工艺过程气体生成等离子体；以及将基底曝露于等离子体下。例如，工艺过程气体可以由NH₃和烃气体如C₂H₄、CH₄、C₂H₂、C₂H₆、C₃H₄、C₃H₆、C₃H₈、C₄H₆、C₄H₈、C₄H₁₀、C₅H₈、C₅H₁₀、C₆H₆、C₆H₁₀和C₆H₁₂中的至少一种组成。此外，工艺化学物质可以进一步包括氦的加入。本发明还提出了一种用于生成双层掩模的方法，用于在基底上蚀刻薄膜；其中该方法包括：在基底上生成薄膜；在此薄膜上生成ARC层；在ARC层上生成光致抗蚀剂图案；使用包括氨(NH₃)和钝化气体的工艺过程气体，以一种蚀刻工艺将光致抗蚀剂图案转移到ARC层上。

主权项

1. 一种在等离子体加工系统中用于蚀刻基底上的抗反射涂料层的方法，包括：引入包括一种或多种共同含有氨NH3的气体和钝化气体的工艺过程气体，其中所述钝化气体包括烃气体，氨NH3流速在50到1000sccm范围内和钝化气体流速在5到100sccm范围内；在所述等离子加工系统中由所述工艺过程气体生成等离子体；和将所述基底曝露于所述等离子体下，其中所述将所述基底曝露于所述等离子体下的过程是在第一时间段完成的，和其中所述第一时间段相应于蚀刻所述抗反射涂料层的时间，并由第二时间段延长。