| 发明名称 | 一种纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域，公开了一种纳米晶浮栅非挥发性存储器，采用由硅基底、埋氧层和顶层硅构成的绝缘体上硅(SOI)作为衬底材料，硅基底起支撑作用，埋氧层起绝缘隔离作用，利用顶层硅形成该纳米晶浮栅非挥发性存储器的源、漏和沟道，在源漏上分别淀积金属电极材料形成源极和漏极，在源漏之间的浮栅上淀积多晶硅形成栅极。本发明同时公开了一种制作纳米晶浮栅非挥发性存储器的方法。利用本发明，具有工艺灵活，设备简单，成本低廉，并且制备的纳米Au颗粒直径可控，均匀性好，器件性能优良等诸多优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101276841A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200710064867.3 | 申请日期 | 2007.03.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王琴;贾锐;李维龙;龙世兵;陈宝钦;刘明;叶甜春 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1. 一种纳米晶浮栅非挥发性存储器，其特征在于，该纳米晶浮栅非挥发性存储器采用由硅基底、埋氧层和顶层硅构成的绝缘体上硅SOI作为衬底材料，硅基底起支撑作用，埋氧层起绝缘隔离作用，利用顶层硅形成该纳米晶浮栅非挥发性存储器的源、漏和沟道，在源漏上分别淀积金属电极材料形成源极和漏极，在源漏之间的浮栅上淀积多晶硅形成栅极。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||