| 发明名称 | 研磨液 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种研磨液，其是使用了阻挡CMP中应用的固体磨粒的研磨液，阻挡CMP中对由阻挡金属材料构成的阻挡层进行研磨，该研磨液可以对研磨阻挡层时的被研磨膜维持高研磨速度，并且可以充分抑制对于低介电常数的Low－k膜的研磨速度。所述研磨液用于研磨半导体集成电路的阻挡层，其中，含有防静电剂。 | ||
| 申请公布号 | CN101275065A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200810086778.3 | 申请日期 | 2008.03.26 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 上村哲也 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01);H01L21/321(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | C09K3/14(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种研磨液，其用于研磨半导体集成电路的阻挡层，其中，含有防静电剂。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||