发明名称 |
利用沉积刻蚀序列的间隙填充处理 |
摘要 |
提供了一种在置于衬底处理室中的衬底上沉积膜的方法。所述衬底具有形成在相邻的凸起表面之间的间隙。将第一前驱体沉积气体流提供到所述衬底处理室。由所述第一前驱体沉积气体流形成第一高密度等离子体,以利用同时具有沉积和溅射分量的第一沉积处理在所述衬底上和所述间隙内沉积所述膜的第一部分,直到所述间隙闭合之后为止。将所述膜的所述第一部分回蚀足够的部分,以使得所述间隙重新开口。将第二前驱体沉积气体流提供到所述衬底处理室。由所述第二前驱体沉积气体流形成第二高密度等离子体,以利用同时具有沉积和溅射分量的第二沉积处理在所述衬底上和所述重新开口的间隙内沉积所述膜的第二部分。 |
申请公布号 |
CN101278380A |
申请公布日期 |
2008.10.01 |
申请号 |
CN200680030938.1 |
申请日期 |
2006.06.15 |
申请人 |
应用材料公司;松下电器产业株式会社 |
发明人 |
曼杰·维莱卡尔;赫曼特·P·芒格卡;扬·S·李;奥野康利;汤浅浩 |
分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
赵飞 |
主权项 |
1.一种在置于衬底处理室中的衬底上沉积膜的方法,所述衬底具有形成在相邻的凸起表面之间的间隙,所述方法包括:将第一前驱体沉积气体流提供到所述衬底处理室;由所述第一前驱体沉积气体流形成第一高密度等离子体,以利用同时具有沉积和溅射分量的第一沉积处理在所述衬底上和所述间隙内沉积所述膜的第一部分,直到所述间隙闭合之后为止;将所述膜的所述第一部分回蚀足够的部分,以使得所述间隙重新开口;将第二前驱体沉积气体流提供到所述衬底处理室;以及由所述第二前驱体沉积气体流形成第二高密度等离子体,以利用同时具有沉积和溅射分量的第二沉积处理在所述衬底上和所述重新开口的间隙内沉积所述膜的第二部分。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |