| 发明名称 | 相变化存储器的写入方法与系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种相变化存储器的写入方法，包括：对相变化存储器提供第一写入脉冲信号，使该相变化存储器的温度大于第一温度；以及对该相变化存储器提供第二写入脉冲信号，使该相变化存储器的温度大体上维持在第二温度。 | ||
| 申请公布号 | CN101276643A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200710091441.7 | 申请日期 | 2007.03.28 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈明忠;赵得胜;颜辰蒲 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | G11C11/56(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 1. 一种相变化存储器的写入方法，包括：对相变化存储器提供第一写入脉冲信号，使该相变化存储器的温度大于第一温度；以及对该相变化存储器提供第二写入脉冲信号，使该相变化存储器的温度大体上维持在第二温度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||